Substitutional p-Type Doping in NbS2 -MoS2 Lateral Heterostructures Grown by MOCVD

© 2023 The Authors. Advanced Materials published by Wiley-VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 14 vom: 15. Apr., Seite e2209371
1. Verfasser: Wang, Zhenyu (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Tripathi, Mukesh, Golsanamlou, Zahra, Kumari, Poonam, Lovarelli, Giuseppe, Mazziotti, Fabrizio, Logoteta, Demetrio, Fiori, Gianluca, Sementa, Luca, Marega, Guilherme Migliato, Ji, Hyun Goo, Zhao, Yanfei, Radenovic, Aleksandra, Iannaccone, Giuseppe, Fortunelli, Alessandro, Kis, Andras
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article TMDC heterostructures metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) p-type MoS2 substitutional doping