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Substitutional p-Type Doping in NbS2 -MoS2 Lateral Heterostructures Grown by MOCVD
von
Wang, Zhenyu
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2023)
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Zero-Bias Power-Detector Circuits based on MoS2 Field-Effect Transistors on Wafer-Scale Flexible Substrates
von
Reato, Eros
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2022)
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3
Reconfigurable Diodes Based on Vertical WSe2 Transistors with van der Waals Bonded Contacts
von
Avsar, Ahmet
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2018)
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4
ssDNA binding reveals the atomic structure of graphene
von
Husale, By Sudhir
Veröffentlicht in:
Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
(2010)
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