Identifying the Correlation between Structural Parameters and Anisotropic Magnetic Properties in IMnV Semiconductors A Possible Room-Temperature Magnetism

Identifying the Correlation between Structural Parameters and Anisotropic Magnetic Properties in IMnV Semiconductors : A Possible Room-Temperature Magnetism

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 33 vom: 11. Aug., Seite e2200074
1. Verfasser: Yoo, Byung Il (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Lee, Nahyun, Lamichhane, Bipin, Bang, Joonho, Song, Hyun Yong, Park, Byung Cheol, Lee, Kyu Hyoung, Kim, Seong-Gon, Kim, Sung Wng
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article antiferromagnets defect-induced ferromagnetism layered structures magnetic anisotropy magnetic semiconductors
Online verfügbar Volltext