Asymmetric Chemical Functionalization of Top-Contact Electrodes Tuning the Charge Injection for High-Performance MoS2 Field-Effect Transistors and Schottky Diodes

Asymmetric Chemical Functionalization of Top-Contact Electrodes : Tuning the Charge Injection for High-Performance MoS2 Field-Effect Transistors and Schottky Diodes

© 2022 Wiley-VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 12 vom: 22. März, Seite e2109445
1. Verfasser: Han, Bin (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Zhao, Yuda, Ma, Chun, Wang, Can, Tian, Xinzi, Wang, Ye, Hu, Wenping, Samorì, Paolo
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Schottky barrier charge injection rectification self-assembled monolayer top-contact bottom-gate
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