Grain-Boundary Engineering of Monolayer MoS2 for Energy-Efficient Lateral Synaptic Devices

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 33(2021), 32 vom: 30. Aug., Seite e2102435
Auteur principal: Wang, Xuewen (Auteur)
Autres auteurs: Wang, Bolun, Zhang, Qinghua, Sun, Yufei, Wang, Enze, Luo, Hao, Wu, Yonghuang, Gu, Lin, Li, Huanglong, Liu, Kai
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2021
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article artificial synapses grain-boundary engineering low energy consumption monolayer molybdenum disulfide switching mechanisms Disulfides Molybdenum 81AH48963U molybdenum disulfide ZC8B4P503V