Grain-Boundary Engineering of Monolayer MoS2 for Energy-Efficient Lateral Synaptic Devices

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 33(2021), 32 vom: 30. Aug., Seite e2102435
1. Verfasser: Wang, Xuewen (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wang, Bolun, Zhang, Qinghua, Sun, Yufei, Wang, Enze, Luo, Hao, Wu, Yonghuang, Gu, Lin, Li, Huanglong, Liu, Kai
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2021
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article artificial synapses grain-boundary engineering low energy consumption monolayer molybdenum disulfide switching mechanisms Disulfides Molybdenum 81AH48963U molybdenum disulfide ZC8B4P503V