Manipulating Ferromagnetism in Few-Layered Cr2 Ge2 Te6

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 33(2021), 31 vom: 30. Aug., Seite e2008586
1. Verfasser: Zhuo, Weizhuang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Lei, Bin, Wu, Shuang, Yu, Fanghang, Zhu, Changsheng, Cui, Jianhua, Sun, Zeliang, Ma, Donghui, Shi, Mengzhu, Wang, Honghui, Wang, Wenxiang, Wu, Tao, Ying, Jianjun, Wu, Shiwei, Wang, Zhenyu, Chen, Xianhui
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2021
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Cr2Ge2Te6 electrical control of ferromagnetism field-effect transistors with solid ion conductor heterostuctures