Cross-Substitution Promoted Ultrawide Bandgap up to 4.5 eV in a 2D Semiconductor : Gallium Thiophosphate

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 33(2021), 22 vom: 16. Juni, Seite e2008761
1. Verfasser: Yan, Yong (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Yang, Juehan, Du, Juan, Zhang, Xiaomei, Liu, Yue-Yang, Xia, Congxin, Wei, Zhongming
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2021
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D ultrawide bandgap semiconductors GaPS4 in-plane anisotropy solar-blind photodetection