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Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 33(2021), 7 vom: 01. Feb., Seite e2007051
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| 1. Verfasser: |
Zhang, Xiankun
(VerfasserIn) |
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| Weitere Verfasser: |
Liao, Qingliang,
Kang, Zhuo,
Liu, Baishan,
Liu, Xiaozhi,
Ou, Yang,
Xiao, Jiankun,
Du, Junli,
Liu, Yihe,
Gao, Li,
Gu, Lin,
Hong, Mengyu,
Yu, Huihui,
Zhang, Zheng,
Duan, Xiangfeng,
Zhang, Yue |
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| Format: | Online-Aufsatz
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| Sprache: | English |
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| Veröffentlicht: |
2021
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
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| Schlagworte: | Journal Article
defect engineering
electrical transport
field-effect transistors
monolayer MoS2
sulfur vacancies |
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