A Suspended Silicon Single-Hole Transistor as an Extremely Scaled Gigahertz Nanoelectromechanical Beam Resonator

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 32(2020), 52 vom: 16. Dez., Seite e2005625
Auteur principal: Zhang, Zhuo-Zhi (Auteur)
Autres auteurs: Hu, Qitao, Song, Xiang-Xiang, Ying, Yue, Li, Hai-Ou, Zhang, Zhen, Guo, Guo-Ping
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2020
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article CMOS compatibilities nanoelectromechanical resonators piezoresistive gauge factors silicon single-hole transistors