A Suspended Silicon Single-Hole Transistor as an Extremely Scaled Gigahertz Nanoelectromechanical Beam Resonator

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 32(2020), 52 vom: 16. Dez., Seite e2005625
1. Verfasser: Zhang, Zhuo-Zhi (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Hu, Qitao, Song, Xiang-Xiang, Ying, Yue, Li, Hai-Ou, Zhang, Zhen, Guo, Guo-Ping
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2020
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article CMOS compatibilities nanoelectromechanical resonators piezoresistive gauge factors silicon single-hole transistors