Gate-Coupling-Enabled Robust Hysteresis for Nonvolatile Memory and Programmable Rectifier in Van der Waals Ferroelectric Heterojunctions

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 32(2020), 14 vom: 16. Apr., Seite e1908040
Auteur principal: Huang, Wenhao (Auteur)
Autres auteurs: Wang, Feng, Yin, Lei, Cheng, Ruiqing, Wang, Zhenxing, Sendeku, Marshet Getaye, Wang, Junjun, Li, Ningning, Yao, Yuyu, He, Jun
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2020
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article 2D ferroelectrics dual-gated coupling nonvolatile memory programmable rectifiers van der Waals heterostructures