Gate-Coupling-Enabled Robust Hysteresis for Nonvolatile Memory and Programmable Rectifier in Van der Waals Ferroelectric Heterojunctions

© 2020 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 32(2020), 14 vom: 16. Apr., Seite e1908040
1. Verfasser: Huang, Wenhao (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wang, Feng, Yin, Lei, Cheng, Ruiqing, Wang, Zhenxing, Sendeku, Marshet Getaye, Wang, Junjun, Li, Ningning, Yao, Yuyu, He, Jun
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2020
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D ferroelectrics dual-gated coupling nonvolatile memory programmable rectifiers van der Waals heterostructures