SnSe/MoS2 van der Waals Heterostructure Junction Field-Effect Transistors with Nearly Ideal Subthreshold Slope

© 2019 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 49 vom: 13. Dez., Seite e1902962
Auteur principal: Guo, Jian (Auteur)
Autres auteurs: Wang, Laiyuan, Yu, Yiwei, Wang, Peiqi, Huang, Yu, Duan, Xiangfeng
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2019
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article 2D semiconductors junction field-effect transistor subthreshold swing van der Waals heterostructures