Improved Epitaxy of AlN Film for Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Enabled by Graphene

© 2019 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 23 vom: 30. Juni, Seite e1807345
1. Verfasser: Chen, Zhaolong (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Liu, Zhiqiang, Wei, Tongbo, Yang, Shenyuan, Dou, Zhipeng, Wang, Yunyu, Ci, Haina, Chang, Hongliang, Qi, Yue, Yan, Jianchang, Wang, Junxi, Zhang, Yanfeng, Gao, Peng, Li, Jinmin, Liu, Zhongfan
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2019
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article aluminum nitride chemical vapor deposition deep-ultraviolet light-emitting diodes graphene quasi-van der Waals epitaxy