Improved Epitaxy of AlN Film for Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Enabled by Graphene

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 23 vom: 30. Juni, Seite e1807345
Auteur principal: Chen, Zhaolong (Auteur)
Autres auteurs: Liu, Zhiqiang, Wei, Tongbo, Yang, Shenyuan, Dou, Zhipeng, Wang, Yunyu, Ci, Haina, Chang, Hongliang, Qi, Yue, Yan, Jianchang, Wang, Junxi, Zhang, Yanfeng, Gao, Peng, Li, Jinmin, Liu, Zhongfan
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2019
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article aluminum nitride chemical vapor deposition deep-ultraviolet light-emitting diodes graphene quasi-van der Waals epitaxy