VI3 -a New Layered Ferromagnetic Semiconductor

© 2019 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 17 vom: 30. Apr., Seite e1808074
Auteur principal: Kong, Tai (Auteur)
Autres auteurs: Stolze, Karoline, Timmons, Erik I, Tao, Jing, Ni, Danrui, Guo, Shu, Yang, Zoë, Prozorov, Ruslan, Cava, Robert J
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2019
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article 2D material ferromagnetic semiconductor van der Waals