VI3 -a New Layered Ferromagnetic Semiconductor

© 2019 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 17 vom: 30. Apr., Seite e1808074
1. Verfasser: Kong, Tai (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Stolze, Karoline, Timmons, Erik I, Tao, Jing, Ni, Danrui, Guo, Shu, Yang, Zoë, Prozorov, Ruslan, Cava, Robert J
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2019
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D material ferromagnetic semiconductor van der Waals