2D GeP : An Unexploited Low-Symmetry Semiconductor with Strong In-Plane Anisotropy

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 14 vom: 28. Apr., Seite e1706771
Auteur principal: Li, Liang (Auteur)
Autres auteurs: Wang, Weike, Gong, Penglai, Zhu, Xiangde, Deng, Bei, Shi, Xingqiang, Gao, Guoying, Li, Huiqiao, Zhai, Tianyou
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2018
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article 2D materials GeP in-plane anisotropy low-symmetry photodetectors