2D GeP : An Unexploited Low-Symmetry Semiconductor with Strong In-Plane Anisotropy

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 14 vom: 28. Apr., Seite e1706771
1. Verfasser: Li, Liang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wang, Weike, Gong, Penglai, Zhu, Xiangde, Deng, Bei, Shi, Xingqiang, Gao, Guoying, Li, Huiqiao, Zhai, Tianyou
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2018
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D materials GeP in-plane anisotropy low-symmetry photodetectors