Probing and Manipulating the Interfacial Defects of InGaAs Dual-Layer Metal Oxides at the Atomic Scale

© 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 2 vom: 27. Jan.
1. Verfasser: Wu, Xing (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Luo, Chen, Hao, Peng, Sun, Tao, Wang, Runsheng, Wang, Chaolun, Hu, Zhigao, Li, Yawei, Zhang, Jian, Bersuker, Gennadi, Sun, Litao, Pey, Kinleong
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2018
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article III-V semiconductors breakdown in situ transmission electron microscope interfacial defects oxygen vacancies