Wafer-Scale Synthesis of Reliable High-Mobility Molybdenum Disulfide Thin Films via Inhibitor-Utilizing Atomic Layer Deposition
© 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
Détails bibliographiques
| Publié dans: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 29(2017), 47 vom: 01. Dez.
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| Auteur principal: |
Jeon, Woojin
(Auteur) |
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| Autres auteurs: |
Cho, Yeonchoo,
Jo, Sanghyun,
Ahn, Ji-Hoon,
Jeong, Seong-Jun |
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| Format: | Article en ligne
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| Langue: | English |
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| Publié: |
2017
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| Accès à la collection: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
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| Sujets: | Journal Article
MoS2 growth mechanisms
atomic layer deposition
field effect transistors
molybdenum disulfide
precursor chemisorption kinetics |
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