Wafer-Scale Synthesis of Reliable High-Mobility Molybdenum Disulfide Thin Films via Inhibitor-Utilizing Atomic Layer Deposition

© 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 29(2017), 47 vom: 01. Dez.
1. Verfasser: Jeon, Woojin (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Cho, Yeonchoo, Jo, Sanghyun, Ahn, Ji-Hoon, Jeong, Seong-Jun
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2017
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article MoS2 growth mechanisms atomic layer deposition field effect transistors molybdenum disulfide precursor chemisorption kinetics