Van der Waals Epitaxial Growth of Atomic Layered HfS2 Crystals for Ultrasensitive Near-Infrared Phototransistors

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 29(2017), 32 vom: 21. Aug.
Auteur principal: Fu, Lei (Auteur)
Autres auteurs: Wang, Feng, Wu, Bin, Wu, Nian, Huang, Wei, Wang, Hanlin, Jin, Chuanhong, Zhuang, Lin, He, Jun, Liu, Yunqi
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2017
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article hafnium disulfide crystals near-infrared transition metal dichalcogenides ultrasensitive phototransistors van der Waals epitaxy