Van der Waals Epitaxial Growth of Atomic Layered HfS2 Crystals for Ultrasensitive Near-Infrared Phototransistors

© 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 29(2017), 32 vom: 21. Aug.
1. Verfasser: Fu, Lei (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wang, Feng, Wu, Bin, Wu, Nian, Huang, Wei, Wang, Hanlin, Jin, Chuanhong, Zhuang, Lin, He, Jun, Liu, Yunqi
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2017
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article hafnium disulfide crystals near-infrared transition metal dichalcogenides ultrasensitive phototransistors van der Waals epitaxy