Surface EXAFS via differential electron yield
Surface-sensitive analysis via extended X-ray absorption fine-structure (EXAFS) spectroscopy is demonstrated using a thickness-defined SiO2 (12.4 nm)/Si sample. The proposed method exploits the differential electron yield (DEY) method wherein Auger electrons escaping from a sample surface are detect...
Veröffentlicht in: | Journal of synchrotron radiation. - 1994. - 24(2017), Pt 2 vom: 01. März, Seite 445-448 |
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1. Verfasser: | |
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Format: | Online-Aufsatz |
Sprache: | English |
Veröffentlicht: |
2017
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Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Journal of synchrotron radiation |
Schlagworte: | Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't EXAFS XAS partial electron yield silicon dioxide surface-sensitive |
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