Surface EXAFS via differential electron yield

Surface-sensitive analysis via extended X-ray absorption fine-structure (EXAFS) spectroscopy is demonstrated using a thickness-defined SiO2 (12.4 nm)/Si sample. The proposed method exploits the differential electron yield (DEY) method wherein Auger electrons escaping from a sample surface are detect...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of synchrotron radiation. - 1994. - 24(2017), Pt 2 vom: 01. März, Seite 445-448
1. Verfasser: Isomura, Noritake (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Murai, Takaaki, Nomoto, Toyokazu, Kimoto, Yasuji
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2017
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Journal of synchrotron radiation
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't EXAFS XAS partial electron yield silicon dioxide surface-sensitive