Ferroelectric-Driven Performance Enhancement of Graphene Field-Effect Transistors Based on Vertical Tunneling Heterostructures

Ferroelectric-Driven Performance Enhancement of Graphene Field-Effect Transistors Based on Vertical Tunneling Heterostructures

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 45 vom: 17. Dez., Seite 10048-10054
1. Verfasser: Yuan, Shuoguo (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Yang, Zhibin, Xie, Chao, Yan, Feng, Dai, Jiyan, Lau, Shu Ping, Chan, Helen L W, Hao, Jianhua
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D materials ferroelectric thin films field-effect transistors graphene pulsed laser deposition
Online verfügbar Volltext