Resistive Switching in All-Oxide Ferroelectric Tunnel Junctions with Ionic Interfaces

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 32 vom: 13. Aug., Seite 6852-9
1. Verfasser: Qin, Qi Hang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Äkäslompolo, Laura, Tuomisto, Noora, Yao, Lide, Majumdar, Sayani, Vijayakumar, Jaianth, Casiraghi, Arianna, Inkinen, Sampo, Chen, Binbin, Zugarramurdi, Asier, Puska, Martti, van Dijken, Sebastiaan
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Tsu-Esaki tunneling current formula ferroelectric tunnel junctions oxygen vacancy migration resistive switching transition metal oxides