Monolithic 3D CMOS Using Layered Semiconductors

Monolithic 3D CMOS Using Layered Semiconductors

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 13 vom: 06. Apr., Seite 2547-54
1. Verfasser: Sachid, Angada B (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Tosun, Mahmut, Desai, Sujay B, Hsu, Ching-Yi, Lien, Der-Hsien, Madhvapathy, Surabhi R, Chen, Yu-Ze, Hettick, Mark, Kang, Jeong Seuk, Zeng, Yuping, He, Jr-Hau, Chang, Edward Yi, Chueh, Yu-Lun, Javey, Ali, Hu, Chenming
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article metal oxide semiconductors monolithic 3D integration transition metal dichalcogenides ultra-low voltage operation
LEADER 01000naa a22002652 4500
001 NLM257060715
003 DE-627
005 20231224182009.0
007 cr uuu---uuuuu
008 231224s2016 xx |||||o 00| ||eng c
024 7 |a 10.1002/adma.201505113  |2 doi 
028 5 2 |a pubmed24n0856.xml 
035 |a (DE-627)NLM257060715 
035 |a (NLM)26833783 
040 |a DE-627  |b ger  |c DE-627  |e rakwb 
041 |a eng 
100 1 |a Sachid, Angada B  |e verfasserin  |4 aut 
245 1 0 |a Monolithic 3D CMOS Using Layered Semiconductors 
264 1 |c 2016 
336 |a Text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a ƒaComputermedien  |b c  |2 rdamedia 
338 |a ƒa Online-Ressource  |b cr  |2 rdacarrier 
500 |a Date Completed 08.08.2016 
500 |a Date Revised 30.09.2020 
500 |a published: Print-Electronic 
500 |a Citation Status PubMed-not-MEDLINE 
520 |a © 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim. 
520 |a Monolithic 3D integrated circuits using transition metal dichalcogenide materials and low-temperature processing are reported. A variety of digital and analog circuits are implemented on two sequentially integrated layers of devices. Inverter circuit operation at an ultralow supply voltage of 150 mV is achieved, paving the way to high-density, ultralow-voltage, and ultralow-power applications 
650 4 |a Journal Article 
650 4 |a metal oxide semiconductors 
650 4 |a monolithic 3D integration 
650 4 |a transition metal dichalcogenides 
650 4 |a ultra-low voltage operation 
700 1 |a Tosun, Mahmut  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Desai, Sujay B  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Hsu, Ching-Yi  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Lien, Der-Hsien  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Madhvapathy, Surabhi R  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Chen, Yu-Ze  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Hettick, Mark  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Kang, Jeong Seuk  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Zeng, Yuping  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a He, Jr-Hau  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Chang, Edward Yi  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Chueh, Yu-Lun  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Javey, Ali  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Hu, Chenming  |e verfasserin  |4 aut 
773 0 8 |i Enthalten in  |t Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)  |d 1998  |g 28(2016), 13 vom: 06. Apr., Seite 2547-54  |w (DE-627)NLM098206397  |x 1521-4095  |7 nnns 
773 1 8 |g volume:28  |g year:2016  |g number:13  |g day:06  |g month:04  |g pages:2547-54 
856 4 0 |u http://dx.doi.org/10.1002/adma.201505113  |3 Volltext 
912 |a GBV_USEFLAG_A 
912 |a SYSFLAG_A 
912 |a GBV_NLM 
912 |a GBV_ILN_350 
951 |a AR 
952 |d 28  |j 2016  |e 13  |b 06  |c 04  |h 2547-54