Monolithic 3D CMOS Using Layered Semiconductors

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 13 vom: 06. Apr., Seite 2547-54
1. Verfasser: Sachid, Angada B (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Tosun, Mahmut, Desai, Sujay B, Hsu, Ching-Yi, Lien, Der-Hsien, Madhvapathy, Surabhi R, Chen, Yu-Ze, Hettick, Mark, Kang, Jeong Seuk, Zeng, Yuping, He, Jr-Hau, Chang, Edward Yi, Chueh, Yu-Lun, Javey, Ali, Hu, Chenming
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article metal oxide semiconductors monolithic 3D integration transition metal dichalcogenides ultra-low voltage operation