P-Type Polar Transition of Chemically Doped Multilayer MoS2 Transistor

P-Type Polar Transition of Chemically Doped Multilayer MoS2 Transistor

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 12 vom: 23. März, Seite 2345-51
1. Verfasser: Liu, Xiaochi (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Qu, Deshun, Ryu, Jungjin, Ahmed, Faisal, Yang, Zheng, Lee, Daeyeong, Yoo, Won Jong
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article MoS2 chemical doping contact resistance p-type transistors
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