P-Type Polar Transition of Chemically Doped Multilayer MoS2 Transistor

P-Type Polar Transition of Chemically Doped Multilayer MoS2 Transistor

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 12 vom: 23. März, Seite 2345-51
1. Verfasser: Liu, Xiaochi (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Qu, Deshun, Ryu, Jungjin, Ahmed, Faisal, Yang, Zheng, Lee, Daeyeong, Yoo, Won Jong
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article MoS2 chemical doping contact resistance p-type transistors
Beschreibung
Zusammenfassung:© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
A high-performance multilayer MoS2 p-type field-effect transistor is realized via controllable chemical doping, which shows an excellent on/off ratio of 10(9) and a maximum hole mobility of 132 cm(2) V(-1) s(-1) at 133 K. The developed technique will enable 2D materials to be used for future high-efficiency and low-power semiconductor device applications
Beschreibung:Date Completed 25.07.2016
Date Revised 01.10.2020
published: Print-Electronic
Citation Status PubMed-not-MEDLINE
ISSN:1521-4095
DOI:10.1002/adma.201505154