In Situ Tuning of Switching Window in a Gate-Controlled Bilayer Graphene-Electrode Resistive Memory Device

© 2015 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 27(2015), 47 vom: 16. Dez., Seite 7767-74
1. Verfasser: Tian, He (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Zhao, Haiming, Wang, Xue-Feng, Xie, Qian-Yi, Chen, Hong-Yu, Mohammad, Mohammad Ali, Li, Cheng, Mi, Wen-Tian, Bie, Zhi, Yeh, Chao-Hui, Yang, Yi, Wong, H-S Philip, Chiu, Po-Wen, Ren, Tian-Ling
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2015
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article bilayer graphene gate controlled in situ resistive memory switching windows