Graphene/Si-quantum-dot heterojunction diodes showing high photosensitivity compatible with quantum confinement effect

© 2015 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 27(2015), 16 vom: 24. Apr., Seite 2614-20
1. Verfasser: Shin, Dong Hee (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Kim, Sung, Kim, Jong Min, Jang, Chan Wook, Kim, Ju Hwan, Lee, Kyeong Won, Kim, Jungkil, Oh, Si Duck, Lee, Dae Hun, Kang, Soo Seok, Kim, Chang Oh, Choi, Suk-Ho, Kim, Kyung Joong
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2015
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Si quantum dots graphene heterojunction diodes photodetectors quantum confinement effect Silicon Dioxide 7631-86-9 Graphite mehr... 7782-42-5 Silicon Z4152N8IUI