Ferroelectricity in Si-doped HfO2 revealed : a binary lead-free ferroelectric

© 2014 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 26(2014), 48 vom: 23. Dez., Seite 8198-202
1. Verfasser: Martin, Dominik (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Müller, Johannes, Schenk, Tony, Arruda, Thomas M, Kumar, Amit, Strelcov, Evgheni, Yurchuk, Ekaterina, Müller, Stefan, Pohl, Darius, Schröder, Uwe, Kalinin, Sergei V, Mikolajick, Thomas
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2014
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article HfO2 Si-doping antiferroelectricity electromechanical response mechanisms ferroelectricity piezoresponse force microscopy (PFM)