Transparent, high-performance thin-film transistors with an InGaZnO/aligned-SnO2 -nanowire composite and their application in photodetectors

© 2014 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 26(2014), 43 vom: 19. Nov., Seite 7399-404
Auteur principal: Liu, Xingqiang (Auteur)
Autres auteurs: Liu, Xi, Wang, Jingli, Liao, Chongnan, Xiao, Xiangheng, Guo, Shishang, Jiang, Changzhong, Fan, Zhiyong, Wang, Ti, Chen, Xiaoshuang, Lu, Wei, Hu, Weida, Liao, Lei
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2014
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article InGaZnO composite materials nanowires phototransistors thin films thin-film transistors