Volatilize-controlled oriented growth of the single-crystal layer for organic field-effect transistors
We demonstrate a solution method of volatilize-controlled oriented growth (VOG) to fabricate aligned single crystals of 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene (TIPS pentacene) on a Si/SiO2 substrate. Through controlling the evaporation rate of the solvent, large-area-aligned single-crystal lay...
Ausführliche Beschreibung
Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids. - 1992. - 30(2014), 40 vom: 14. Okt., Seite 12082-8
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| 1. Verfasser: |
Zhao, Haoyan
(VerfasserIn) |
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| Weitere Verfasser: |
Li, Dong,
Dong, Guifang,
Duan, Lian,
Liu, Xiaohui,
Wang, Liduo |
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| Format: | Online-Aufsatz
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| Sprache: | English |
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| Veröffentlicht: |
2014
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
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| Schlagworte: | Journal Article |
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