Back gated multilayer InSe transistors with enhanced carrier mobilities via the suppression of carrier scattering from a dielectric interface
© 2014 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 26(2014), 38 vom: 29. Okt., Seite 6587-93
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| 1. Verfasser: |
Feng, Wei
(VerfasserIn) |
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| Weitere Verfasser: |
Zheng, Wei,
Cao, Wenwu,
Hu, PingAn |
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| Format: | Online-Aufsatz
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| Sprache: | English |
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| Veröffentlicht: |
2014
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
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| Schlagworte: | Journal Article
Research Support, Non-U.S. Gov't
carrier scatter
field-effect transistor
indium selenide
mobility
two dimensional layer semiconductor |
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