Atomic layer deposition, characterization, and growth mechanistic studies of TiO2 thin films

Two heteroleptic titanium precursors were investigated for the atomic layer deposition (ALD) of titanium dioxide using ozone as the oxygen source. The precursors, titanium (N,N'-diisopropylacetamidinate)tris(isopropoxide) (Ti(O(i)Pr)3(N(i)Pr-Me-amd)) and titanium bis(dimethylamide)bis(isopropox...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids. - 1999. - 30(2014), 25 vom: 01. Juli, Seite 7395-404
1. Verfasser: Kaipio, Mikko (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Blanquart, Timothee, Tomczak, Yoann, Niinistö, Jaakko, Gavagnin, Marco, Longo, Valentino, Wanzenböck, Heinz D, Pallem, Venkateswara R, Dussarrat, Christian, Puukilainen, Esa, Ritala, Mikko, Leskelä, Markku
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2014
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
Schlagworte:Journal Article