Tunable electronic transport properties of metal-cluster-decorated III-V nanowire transistors

Copyright © 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 25(2013), 32 vom: 27. Aug., Seite 4445-51
1. Verfasser: Han, Ning (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wang, Fengyun, Hou, Jared J, Yip, Sen Po, Lin, Hao, Xiu, Fei, Fang, Ming, Yang, Zaixing, Shi, Xiaoling, Dong, Guofa, Hung, Tak Fu, Ho, Johnny C
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2013
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't III-V nanowire field-effect transistors contact printing inverters metal decoration n-channel metal-oxide-semiconductor (NMOS) threshold voltage modulation