Room temperature ballistic transport in InSb quantum well nanodevices

We report the room temperature observation of significant ballistic electron transport in shallow etched four-terminal mesoscopic devices fabricated on an InSb/AlInSb quantum well (QW) heterostructure with a crucial partitioned growth-buffer scheme. Ballistic electron transport is evidenced by a neg...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters. - 1998. - 99(2011), 24 vom: 12. Dez., Seite 242101-2421013
1. Verfasser:	Gilbertson, A M (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Kormányos, A, Buckle, P D, Fearn, M, Ashley, T, Lambert, C J, Solin, S A, Cohen, L F
Format:	Aufsatz
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2011
Zugriff auf das übergeordnete Werk:	Applied physics letters
Schlagworte:	Journal Article