Anatomy of a nanoscale conduction channel reveals the mechanism of a high-performance memristor

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 23(2011), 47 vom: 15. Dez., Seite 5633-40
1. Verfasser: Miao, Feng (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Strachan, John Paul, Yang, J Joshua, Zhang, Min-Xian, Goldfarb, Ilan, Torrezan, Antonio C, Eschbach, Peter, Kelley, Ronald D, Medeiros-Ribeiro, Gilberto, Williams, R Stanley
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2011
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Oxides Tantalum 6424HBN274 tantalum oxide OEZ64Z53M4