Multilevel data storage memory devices based on the controlled capacitive coupling of trapped electrons

Multilevel data storage memory devices based on the controlled capacitive coupling of trapped electrons

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 23(2011), 18 vom: 10. Mai, Seite 2064-8
1. Verfasser: Lee, Jang-Sik (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Kim, Yong-Mu, Kwon, Jeong-Hwa, Sim, Jae Sung, Shin, Hyunjung, Sohn, Byeong-Hyeok, Jia, Quanxi
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2011
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't
Online verfügbar Volltext