Electric-field-induced resistive switching in a family of mott insulators Towards a new class of RRAM memories

Electric-field-induced resistive switching in a family of mott insulators : Towards a new class of RRAM memories

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 22(2010), 45 vom: 01. Dez., Seite 5193-7
1. Verfasser: Cario, Laurent (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Vaju, Cristian, Corraze, Benoit, Guiot, Vincent, Janod, Etienne
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2010
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Germanium 00072J7XWS Niobium 05175J654G Tantalum 6424HBN274 Gallium CH46OC8YV4 mehr... Selenium H6241UJ22B
LEADER 01000naa a22002652 4500
001 NLM202479498
003 DE-627
005 20231223224405.0
007 cr uuu---uuuuu
008 231223s2010 xx |||||o 00| ||eng c
024 7 |a 10.1002/adma.201002521  |2 doi 
028 5 2 |a pubmed24n0675.xml 
035 |a (DE-627)NLM202479498 
035 |a (NLM)20957700 
040 |a DE-627  |b ger  |c DE-627  |e rakwb 
041 |a eng 
100 1 |a Cario, Laurent  |e verfasserin  |4 aut 
245 1 0 |a Electric-field-induced resistive switching in a family of mott insulators  |b Towards a new class of RRAM memories 
264 1 |c 2010 
336 |a Text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a ƒaComputermedien  |b c  |2 rdamedia 
338 |a ƒa Online-Ressource  |b cr  |2 rdacarrier 
500 |a Date Completed 24.03.2011 
500 |a Date Revised 30.09.2020 
500 |a published: Print 
500 |a Citation Status MEDLINE 
650 4 |a Journal Article 
650 4 |a Research Support, Non-U.S. Gov't 
650 7 |a Germanium  |2 NLM 
650 7 |a 00072J7XWS  |2 NLM 
650 7 |a Niobium  |2 NLM 
650 7 |a 05175J654G  |2 NLM 
650 7 |a Tantalum  |2 NLM 
650 7 |a 6424HBN274  |2 NLM 
650 7 |a Gallium  |2 NLM 
650 7 |a CH46OC8YV4  |2 NLM 
650 7 |a Selenium  |2 NLM 
650 7 |a H6241UJ22B  |2 NLM 
700 1 |a Vaju, Cristian  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Corraze, Benoit  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Guiot, Vincent  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Janod, Etienne  |e verfasserin  |4 aut 
773 0 8 |i Enthalten in  |t Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)  |d 1998  |g 22(2010), 45 vom: 01. Dez., Seite 5193-7  |w (DE-627)NLM098206397  |x 1521-4095  |7 nnns 
773 1 8 |g volume:22  |g year:2010  |g number:45  |g day:01  |g month:12  |g pages:5193-7 
856 4 0 |u http://dx.doi.org/10.1002/adma.201002521  |3 Volltext 
912 |a GBV_USEFLAG_A 
912 |a SYSFLAG_A 
912 |a GBV_NLM 
912 |a GBV_ILN_350 
951 |a AR 
952 |d 22  |j 2010  |e 45  |b 01  |c 12  |h 5193-7