Electric-field-induced resistive switching in a family of mott insulators Towards a new class of RRAM memories

Electric-field-induced resistive switching in a family of mott insulators : Towards a new class of RRAM memories

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 22(2010), 45 vom: 01. Dez., Seite 5193-7
1. Verfasser: Cario, Laurent (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Vaju, Cristian, Corraze, Benoit, Guiot, Vincent, Janod, Etienne
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2010
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Germanium 00072J7XWS Niobium 05175J654G Tantalum 6424HBN274 Gallium CH46OC8YV4 mehr... Selenium H6241UJ22B
Beschreibung
Beschreibung:Date Completed 24.03.2011
Date Revised 30.09.2020
published: Print
Citation Status MEDLINE
ISSN:1521-4095
DOI:10.1002/adma.201002521