ALD resist formed by vapor-deposited self-assembled monolayers

A new process of applying molecular resists to block HfO2 and Pt atomic layer deposition has been investigated. Monolayer films are formed from octadecyltrichlorosilane (ODTS) or tridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyltrichlorosilane (FOTS) and water vapor on native silicon oxide surfaces and from 1-o...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids. - 1992. - 23(2007), 3 vom: 30. Jan., Seite 1160-5
1. Verfasser: Hong, Junsic (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Porter, David W, Sreenivasan, Raghavasimhan, McIntyre, Paul C, Bent, Stacey F
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2007
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
Schlagworte:Journal Article