Local structure study of dilute Er in III-V semiconductors by fluorescence EXAFS

For understanding the luminescence of Er atoms in III-V semiconductors, OMVPE-grown InP doped with Er has been investigated by fluorescence EXAFS (extended X-ray absorption fine structure) in order to study the local structure around Er atoms. The local structures around the Er atoms doped in InP, w...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of synchrotron radiation. - 1998. - 5(1998), Pt 3 vom: 01. Mai, Seite 1061-3
1. Verfasser:	Ofuchi, H (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Kawamura, D, Tsuchiya, J, Matsubara, N, Tabuchi, M, Fujiwara, Y, Takeda, Y
Format:	Aufsatz
Sprache:	English
Veröffentlicht:	1998
Zugriff auf das übergeordnete Werk:	Journal of synchrotron radiation
Schlagworte:	Journal Article