Disruption, atom distributions, and energy levels for Ge/GaAs(110), Ge/InP(110), and Ge/InSb(110) heterojunctions
| Veröffentlicht in: | Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 40(1989), 6 vom: 15. Aug., Seite 3711-3719 |
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| 1. Verfasser: | |
| Weitere Verfasser: | , , |
| Format: | Aufsatz |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
1989
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Physical review. B, Condensed matter |
| Schlagworte: | Journal Article |