Step dynamics and equilibrium structure of monoatomic steps on Si(100)-2 x 1

von Sánchez
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1996)

Model for diffusion and growth of silicon on Si(100) with inequivalent sites in a square lattice

von Iguain
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1996)

Etching of Si(100)-2 x 1 with chlorine Reaction pathways, energy anisotropies, and atomic-scale phenomena

von Chander
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1995)

Charge transfer, doping, and interface morphologies for Al-C60

von Owens
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1995)

Surface photovoltages due to pulsed sources Implications for photoemission spectroscopy

von Aldao
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1994)

Effects of orbital nonorthogonality on band structure within the tight-binding scheme

von Mirabella
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1994)

Effects of growth temperature on atom distributions, Fermi-level positions, and valence-band offsets for Ge/n-type InP(110) heterojunctions

von Aldao
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1991)

Dynamic-coupling model Interpretation of temperature-, dopant-concentration-, and coverage-dependent Schottky-barrier formation

von Aldao
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1990)

Interface formation with ions and neutral atoms

von Aldao
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1990)

Photovoltaic effects in temperature-dependent Fermi-level movement for GaAs(110)

von Aldao
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1990)

Metal-InP(110) interface properties Temperature, dopant-concentration, and cluster-deposition dependencies

von Vitomirov
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1990)

Thermally reversible band bending for Bi/GaAs(110) Photoemission and inverse-photoemission investigations

von Waddill
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1990)

Deposition of Ag ions and neutral atoms on ZnSe(100) Influence of interface morphology on Schottky-barrier formation

von Vos
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1990)

Abrupt interfaces with novel structural and electronic properties Metal-cluster deposition and metal-semiconductor junctions

von Waddill
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1990)

Cr, Co, Pd, Au, and In overlayers on PbS(100) Adatom interactions and interface formation

von Trafas
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1989)

Temperature effects for Ti/GaAs(110) interface formation involving cluster and atom deposition

von Aldao
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1989)

Reversible temperature-dependent Fermi-level movement for metal-GaAs(110) interfaces

von Vitomirov
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1989)

Development of rare-earth-semiconductor interfaces Ce/InP(110), Sm/InSb(110), and Ce/CdTe(110)

von Trafas
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1989)

Dopant concentration dependences and symmetric Fermi-level movement for metal/n-type and p-type GaAs(110) interfaces formed at 60 K

von Aldao
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1989)

Disruption, atom distributions, and energy levels for Ge/GaAs(110), Ge/InP(110), and Ge/InSb(110) heterojunctions

von Aldao
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1989)