Dopant concentration dependences and symmetric Fermi-level movement for metal/n-type and p-type GaAs(110) interfaces formed at 60 K
| Veröffentlicht in: | Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 39(1989), 17 vom: 15. Juni, Seite 12977-12980 |
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| Weitere Verfasser: | , , , , |
| Format: | Aufsatz |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
1989
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Physical review. B, Condensed matter |
| Schlagworte: | Journal Article |