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6
threshold switching
V3O5
2
negative differential resistance
2
neuromorphic computing
2
05175J654G
1
9NEZ333N27
1
plus ...
Ions
1
Mott memristor
1
Niobium
1
Oxides
1
RRAM
1
Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S.
1
Sodium
1
artificial spiking neuron
1
biohybrid interface
1
bolometric material
1
conductive filaments (CF)
1
copper indium thiophosphate
1
defective graphene
1
ferroionic
1
graphene
1
ion barriers
1
ion‐mediation
1
metal-insulator transition
1
oscillation neuron
1
photomemristor
1
reservoir computing
1
resistive memory
1
resistive switching memory
1
moins ...
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1
Steep-Slope CuInP2S6 Ferroionic Threshold Switching Field-Effect Transistor for Implementation of Artificial Spiking Neuron
par
Baek, Sungpyo
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2025)
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2
An Ion-Mediated Spiking Chemical Neuron based on Mott Memristor
par
Ren, Huihui
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2024)
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3
Optically Tunable Electrical Oscillations in Oxide-Based Memristors for Neuromorphic Computing
par
Nath, Shimul Kanti
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2024)
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4
Physical Origin of Negative Differential Resistance in V3 O5 and Its Application as a Solid-State Oscillator
par
Das, Sujan Kumar
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2023)
Article en ligne
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5
Breaking the Current-Retention Dilemma in Cation-Based Resistive Switching Devices Utilizing Graphene with Controlled Defects
par
Zhao, Xiaolong
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2018)
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6
Oxide resistive memory with functionalized graphene as built-in selector element
par
Yang, Yuchao
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2014)
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